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DMG8601UFG
1.6
20
1.2
16
12
T A = 25°C
0.8
I D = 1mA
I D = 250μA
8
0.4
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100,000
10,000
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
100
10
1
T A = 85°C
T A = 25°C
10
1
T A = 25°C
T A = -55°C
0
4
8 12 16
20
1
2 3 4 5 6 7 8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
10,000
T A = 150°C
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
T A = -55°C
1
1
2 3 4 5 6 7 8
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
DMG8601UFG
Document number: DS31788 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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